Программа повышения квалификации (54 академических часа).
Руководитель программы: Барышева Мария Михайловна, к.ф.-м.н.
О программе
Курс нацелен на изучение литографии как ключевой технологии производства элементов микро- и наноэлектроники, определяющей топологические нормы и степень интеграции сверхбольших интегральных схем. При производстве современных микросхем с наноразмерными топологическими нормами все большее применение находит проекционная литография экстремального ультрафиолетового диапазона (EUV-Extreme Ultraviolet, длина волны 13,5 нм)
Достоинством EUV литографии является короткая длина волны, позволяющая в однократной экспозиции достигать разрешения до 13 нм. На современных фабриках (Intel, Samsung, TSMC) эта литография используется при производстве критических слоев с минимальными топологическими размерами
В России в настоящий момент ведутся научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы, которые позволят разработать отечественный рентгеновский литограф, работающий на длине волны порядка 10 нм.
Практическая часть курса включает в себя изучение спектра мишени лазерно-плазменного источника, применение ионного травления для формирования сверхточных оптических поверхностей, а также получение и исследование рисунка на резисте. Практические и лабораторные работы выполняются на реальном рабочем оборудовании ИФМ РАН.
Содержание программы
Раздел 1. Общая теория рентгеновской литографии
Тема 1. Принципы рентгеновской литографии с использованием маски.
Тема 2. Безмасочная рентгеновской литография.
Раздел 2. Лазерно-плазменный источник рентгеновского излучения
Тема 1. Теория формирования рентгеновского излучения
Тема 2. Теория взаимодействия лазерного луча и газа.
Лабораторная работа №1 «Лазерно-плазменный источник мягкого рентгеновского излучения».
Раздел 3. Аттестация и коррекция формы поверхности оптических элементов в составе рентгеновского литографа
Тема 1. Принципы аттестации и коррекция формы поверхности высокоточных оптических элементов.
Лабораторная работа № 2 «Измерение коэффициента распыления при ионном травлении».
Раздел 4. Химические процессы, протекающие в резистах
Раздел 5. Практическая литография
Практическое занятие №1 «Подготовка образца».
Практическое занятие №2 «Формирование изображения на поверхности резиста».
Практическое занятие №3 «Исследование образца с проявленным рисунком методом АСМ».
Контактная информация
E-mail: mmbarysheva@ipmras.ru
Ссылка на страничку программы на сайте факультета повышения квалификации и профессиональной переподготовки ННГУ им. Н.И. Лобачевского (для получения более подробной информации о формате обучения, содержании программы, преподавателях, а также для отправки заявки на обучение):
https://fpk.unn.ru/x-ray-lithography
